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SIA430DJ	文件：207.95 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIA430DJT	文件：233.3 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIA430DJT	文件：309.69 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •ThermallyenhancedPowerPAK®SC-70package -Smallfootprintarea -Ultra-thin0.6mmheight •100Rgtested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Loadswitch •DC/DCconversion	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR430A	文件：158.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR430A	文件：2.67795 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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SIHFR430A	文件：2.67839 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR430A	文件：2.318 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR430A	文件：307.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHFR430A	文件：267.41 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamic dV/dtruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceand avalanchevoltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
RR430WIPCN
制造商：
Hubbell Wiring Device-Kellems
功能描述：
RECPT, SB, 30A 125/250V, FLNG, WH W/PLT

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