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RRT	文件：3.2336 Mbytes Page：7 Pages	型号：SMAJ75A-AT；Package：DO-214AC；400W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedorplanarjunction Excellentclampingcapability Repetitionrate(dutycycle):0.01 Lowprofilepackageandlowinductance 400WPeakPulsepowercapabilityat10×1000μswaveform Fastresponsetime:typicallylessthan1.0psfrom0VtoVBRmin Hightemperaturesolde	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
RRA	文件：1.32281 Mbytes Page：3 Pages	型号：TPSMAJ75A；Package：DO-214AC；Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features ●Glasspassivatedchip ●400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01% ●Highreliabilityapplicationandautomotivegrade ●AECQ101qualified ●Lowleakage ●UniandBidirectionalunit ●Excellentclampingcapability ●Ver	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
RRA	文件：2.87185 Mbytes Page：6 Pages	型号：TPSMAJ75A；Package：DO-214AC；10 To 85V 400W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedchip 400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μs waveform,repetitiverate(dutycycle):0.01% HighreliabilityapplicationandautomotivegradeAECQ101 qualified Lowleakage UniandBidirectionalunit Excellentclampingcapability Veryfastresponseti	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
RR25	文件：759.27 Kbytes Page：4 Pages	型号：AR0511D3；Package：SOD-323；1-Line Low Capacitance Bi-directional TVS Diode	APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd. 应能江苏应能微电子股份有限公司	APMICRO
RR62H	文件：623.74 Kbytes Page：4 Pages	型号：AR0611D3H；Package：SOD-323；1-Line Low Capacitance Bi-directional TVS Diode	APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd. 应能江苏应能微电子股份有限公司	APMICRO
RR/RO/RY	文件：1.09332 Mbytes Page：2 Pages	型号：KTC3879；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
RRS050P03	文件：2.59178 Mbytes Page：14 Pages	型号：RRS050P03HZG；Package：SOP8；Pch -30V -5A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RRS090P03	文件：2.90243 Mbytes Page：14 Pages	型号：RRS090P03HZG；Package：SOP8；Pch -30V -9A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RRS100P03	文件：2.7194 Mbytes Page：14 Pages	型号：RRS100P03HZG；Package：SOP8；Pch -30V -10A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RRS140P03	文件：2.6042 Mbytes Page：14 Pages	型号：RRS140P03HZG；Package：SOP8；Pch -30V -14A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
RR
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 17V 400W Unidirectional
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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