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RP1H065SP数据手册ROHM中文资料规格书

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厂商型号

RP1H065SP

功能描述

4V Drive Pch MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 15:02:00

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RP1H065SP规格书详情

特性 Features

•4V驱动型 Pch 中功率MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :RP1H065SP

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Status

    :新设计非推荐

  • 封装

    :MPT6

  • 包装数量

    :1000

  • 最小独立包装数量

    :1000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Grade

    :Standard

  • Package Size[mm]

    :4.5x4.0 (t=1.0)

  • Number of terminal

    :6

  • Polarity

    :Pch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :-45

  • Drain Current ID[A]

    :-6.5

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

    :0.033

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

    :0.03

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.022

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.033

  • Total gate charge Qg[nC]

    :28.0

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :2.0

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

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