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UPC2905HB	文件：354.68 Kbytes Page：23 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Outputcurrentinexcessof1.0A •Lowdropoutvoltage VDIF=0.7VTYP.(IO=1A) •On-chipover-currentandthermalprotectioncircuit •On-chipoutputtransistorsafeoperatingareaprotectioncircuit	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2905HB	文件：93.8 Kbytes Page：20 Pages	THREETERMINALLOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2905HF	文件：354.68 Kbytes Page：23 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Outputcurrentinexcessof1.0A •Lowdropoutvoltage VDIF=0.7VTYP.(IO=1A) •On-chipover-currentandthermalprotectioncircuit •On-chipoutputtransistorsafeoperatingareaprotectioncircuit	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2905HF	文件：93.8 Kbytes Page：20 Pages	THREETERMINALLOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2905T	文件：354.68 Kbytes Page：23 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Outputcurrentinexcessof1.0A •Lowdropoutvoltage VDIF=0.7VTYP.(IO=1A) •On-chipover-currentandthermalprotectioncircuit •On-chipoutputtransistorsafeoperatingareaprotectioncircuit	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2905T	文件：93.8 Kbytes Page：20 Pages	THREETERMINALLOWDROPOUTVOLTAGEREGULATOR SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
VEC2905	文件：76.04 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistorP-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistor P-ChannelSiliconMOSFET Features •Compositetype,facilitatiinghigh-densitymounting. •Mountingheight0.75mm.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

详细参数

型号：
RN2905AFS
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RN2905AFS供应商更新时间2025-7-19 11:06:00

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