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UC2610N	文件：647.61 Kbytes Page：13 Pages	DUALSCHOTTKYDIODEBRIDGE	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UPA2610	文件：304.07 Kbytes Page：11 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2610,whichhasaheatspreader,isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Thinsurfacemountpackagewithheatspreader •1.8Vdriveavailable •Lowon-stateresistance RDS(on)1=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VB2610N	文件：736.74 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB2610N	文件：724.22 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VBL2610N	文件：412.39 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
RN2610
功能描述：
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TSOP

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更多RN2610供应商更新时间2025-7-17 16:00:00

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