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RN2318(TE85L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
SI2318A	文件：2.09106 Mbytes Page：6 Pages	40V N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 40V ● ID = 5.6 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.09106 Mbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
SI2318A	文件：1.82855 Mbytes Page：6 Pages	SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS Features VDS (V) = 40V ID = 5.6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.82855 Mbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
SI2318CD	文件：239.06 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：239.06 Kbytes 页数：10 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

产品属性

产品编号：
RN2318(TE85L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

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