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SI2318DS	文件：79.57 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SM2318E	文件：2.2794 Mbytes Page：9 Pages	SIlIcon-ControlledHIgh-PowerPowerFactor	LINKAGELinkage Goston Electronics Co., LTD 钲铭科电子深圳市钲铭科电子有限公司	LINKAGE
SM2318NSA	文件：487.23 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SMG2318N	文件：492.26 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SMG2318N	文件：474.93 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SPA-2318	文件：268.64 Kbytes Page：6 Pages	2150MHz1WattPowerAmplifierwithActiveBias ProductDescription StanfordMicrodevices’SPA-2318isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableand	STANFORD Stanford Microdevices	STANFORD
SPA-2318	文件：201.79 Kbytes Page：9 Pages	1700-2200MHz1WattPowerAmpwithActiveBias ProductDescription SirenzaMicrodevices’SPA-2318isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableandc	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SPA2318Z	文件：646.91 Kbytes Page：8 Pages	1700MHzto2200MHz1WATTPOWERAMPWITHACTIVEBIAS	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SPA-2318Z	文件：201.79 Kbytes Page：9 Pages	1700-2200MHz1WattPowerAmpwithActiveBias ProductDescription SirenzaMicrodevices’SPA-2318isahighefficiencyGaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableandc	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SPA2318ZSQ	文件：646.91 Kbytes Page：8 Pages	1700MHzto2200MHz1WATTPOWERAMPWITHACTIVEBIAS	RFMD RF Micro Devices	RFMD

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产品属性

产品编号：
RN2318(TE85L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	RN2318(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Stor	24+	SC-70,SOT-323	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市联世界科技有限公司	RN2318(TE85L,F)	TOSHIBA	24+/25+		3000	原装正品现货库存价优	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	RN2318(TE85L,F)	Toshiba	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	RN2318(TE85L,F)		24+	N/A	72000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	RN2318(TE85L,F)	TOSHIBA	2025+		12420		询价
深圳市科雨电子有限公司	RN2318(TE85LF)	TOSHIBA	1809+	SOT-323	6675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	RN232-0.6/02	SCHAFFNER	23+	DIP4	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市诚利顺电子科技有限公司	RN232-0.6/02	SCHAFFNER	22+	DIP4	30000	十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	RN232-0.6/02	SCHAFFNER	24+	NA/	738	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
上海市鑫鸿达电子	RN232-0.6-02	Schaffner	2022+		1	全新原装货期两周	询价

更多RN2318(TE85L,F)供应商更新时间2025-5-1 14:14:00

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