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SI2304BDS	文件：73.63 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2304BDS	文件：113.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2304BDS	文件：158.83 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2304DDS	文件：206.16 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2304DDS	文件：239.36 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2304DDS	文件：242.33 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SI2304DS	文件：75.51 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2304DS	文件：1.5437 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2304DS	文件：270.85 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology Productavailability: SI2304DSinSOT23. Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■Batterymanagement	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SI2304DS	文件：372.86 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™1technology Productavailability: SI2304DSinSOT23. 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applications nBatterymanagemen	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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产品属性

产品编号：
RN2304(TE85L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	RN2304(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Stor	24+	SC-70,SOT-323	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多RN2304(TE85L,F)供应商更新时间2025-5-1 14:14:00

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