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BC2302	文件：2.67155 Mbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS Description TheBC2302usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. DS(ON), Application Batteryprotection Loadswitch Uni	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
RTM2302	文件：187.22 Kbytes Page：4 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ◇Advancedtrenchprocesstechnology ◇Highdensitycelldesignforultralowon-resistance ◇Excellentthermalandelectricalcapabilities ◇CompactandlowprofileSOT-23package	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)	SIRECT
RTM2302CX	文件：187.22 Kbytes Page：4 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ◇Advancedtrenchprocesstechnology ◇Highdensitycelldesignforultralowon-resistance ◇Excellentthermalandelectricalcapabilities ◇CompactandlowprofileSOT-23package	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)	SIRECT
SBB-2302	文件：85.86 Kbytes Page：2 Pages	Perma-Seal??PiggybackQuickDisconnect,Tab6.35mm(.250	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
SE2302	文件：388.95 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
SE2302	文件：567.04 Kbytes Page：9 Pages	ThyristorSurgeSuppressors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SFH2302	文件：230.77 Kbytes Page：6 Pages	SchnellePIN-FotodiodeHighSpeedPIN-Photodiode	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH-2302	文件：230.77 Kbytes Page：6 Pages	SchnellePIN-Fotodiode	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SI2302	文件：4.06584 Mbytes Page：4 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=20V RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@3.6A	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
SI2302	文件：266.42 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
SI2302	文件：832.45 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS N-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION ●LoadSwitchforPortableDevices ●DC/DCConverter	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
SI2302	文件：468.33 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage DESCRIPTIONS N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. FEATURES SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON),SOT-23package. APPLICATIONS Batterymanagement,Highspeedswitch,lowpowerDCtoDCconverter.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
SI2302	文件：413.07 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Feature ●16V/3.6A,RDS(ON)=100mΩ(MAX)@VGS=4.5V. RDS(ON)=140mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOT-23forSurfaceMountPackage. Applications ●PowerManagementPortableEquipmenta	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
SI2302	文件：1.16669 Mbytes Page：6 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
SI2302	文件：285.33 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET N-ChannelEnhancementMOSFET ■FEATURES TrenchFETPowerMOSFET	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
SI2302	文件：272.55 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMosfets FEATURES •HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) •Ruggedandreliable •CaseMaterial:MoldedPlastic.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
SI2302	文件：168.38 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •20V,3.0A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=82mΩ@VGS=2.5V •HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) •Ruggedandreliable •Leadfreeproductisacquired •SOT-23Package •MarkingCode:S2 •Epo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
SI2302A	文件：315.46 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features •RuggedandReliable •LeadFreeProductisAcquired •HighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •MoistureSensitivityLevel1 •HalogenFreeAvailableUponRequestbyAddingSuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
SI2302A	文件：1.8694 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=20V RDS(on)=45mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A RDS(on)=60mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体	UMW
SI2302ADS	文件：205.23 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel2.5-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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产品属性

产品编号：
RN2302,LF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市鹏顺微电子科技有限公司	RN2302,LF	Toshiba	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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更多RN2302,LF供应商更新时间2024-6-4 21:58:00

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