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SI2107-X-FM	文件：952.89 Kbytes Page：80 Pages	SATELLITERECEIVERFORDVB-S/DSS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SMV2107	文件：35.68 Kbytes Page：1 Pages	PLASTICSURFACEMOUNTGENERALPURPOSEABRUPTVARACTORDIODES PLASTICSURFACEMOUNTGENERALPURPOSEABRUPTVARACTORDIODES DCPowerDissipation@Ta=25°C250mW ReverseBreakdownVoltage@10µA30VMin MaxReverseCurrent(IR)@Ta=25°C0.1µA@25Vdc OperatingTemperature(Topr)-55to+125°C StorageT	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX
SP2107	文件：116.82 Kbytes Page：7 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SPLA2107B	文件：976.56 Kbytes Page：2 Pages	Pushbuttonswitch,sideactuation,illumination	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS
SPNA2107B	文件：976.56 Kbytes Page：2 Pages	Pushbuttonswitch,sideactuation,illumination	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS
TGP2107-SM	文件：766.08 Kbytes Page：11 Pages	6–18GHz6-BitDigitalPhaseShifter(-Vc) ProductFeatures •FrequencyRange:6to18GHz •6-BitDigitalPhaseShifter •360°Coverage,LSB=5.625° •RMSPhaseError:5° •RMSAmplitudeError:0.55dB •InsertionLoss:12dB •InputP1dB:>25dBm •InputIP3:>41dBm •SwitchingSpeed:	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
TGP2107-SM	文件：980.47 Kbytes Page：11 Pages	6to18GHz6-BitDigitalPhaseShifter(?뭋C)	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TR2107SY	文件：402.62 Kbytes Page：7 Pages	RECTIFIERDIODE FEATURES ■DoubleSideCooling ■HighSurgeCapability APPLICATIONS ■Rectification ■FreewheelDiode ■DCMotorControl ■PowerSupplies ■Welding ■BatteryChargers	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
VBA2107	文件：449.09 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel12-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA2107	文件：439 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel12-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
RN2107ACT
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市柯尔基电子有限公司	RN2107ACT	TOSHIBA/东芝	23+/24+	SOT-883	9865	原装MOS管(场效应管).	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	RN2107ACT	AO/万代	23+	TO-252	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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更多RN2107ACT供应商更新时间2025-7-18 10:18:00

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