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TPS2103D	文件：265.33 Kbytes Page：17 Pages	VAUXPOWER-DISTRIBUTIONSWITCHES	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS2103DBV	文件：265.33 Kbytes Page：17 Pages	VAUXPOWER-DISTRIBUTIONSWITCHES	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPS2103DBVR	文件：462.23 Kbytes Page：20 Pages	POWER-DISTRIBUTIONSWITCHES	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TPS2103DBVT	文件：462.23 Kbytes Page：20 Pages	POWER-DISTRIBUTIONSWITCHES	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TR2103SY	文件：381.92 Kbytes Page：7 Pages	RECTIFIERDIODE FEATURES ■DoubleSideCooling ■HighSurgeCapability APPLICATIONS ■Rectification ■FreewheelDiode ■DCMotorControl ■Powersupplies ■Welding ■BatteryChargers	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
UTR2103	文件：187.84 Kbytes Page：5 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER DESCRIPTION TheUTR2103isahighvoltage,highspeedpowerMOSFET andIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferenced outputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOS technologiesenablerugge-dizedmonolithicconstruction.Thelogic inputiscompatiblewithstandardCMO	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
VB2103K	文件：927.42 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB2103K	文件：845.02 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •UltraLowOn-Resistance •SmallSize APPLICATIONS •ActiveClampCircuitsinDC/DCPowerSupplies	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VMMK-2103	文件：853.84 Kbytes Page：12 Pages	0.5to6GHzBypassE-pHEMTLNAinWaferLevelPackage	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
VMMK-2103	文件：222.78 Kbytes Page：2 Pages	E-pHEMTAmplifierinaWaferScalePackage(0.5-6GHz)	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO

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详细参数

型号：
RN2103MFV
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 INCORRECT MOUSER P/N 22x22Kohms
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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