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厂商型号

RN1901

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

文件大小

271.5 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-25 22:58:00

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晶体管资料

  • 型号:

    RN1901

  • 别名:

    RN1901三极管、RN1901晶体管、RN1901晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_差分放大器射极输出 (Dual)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    6

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-23

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.2

产品属性

  • 型号:

    RN1901

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
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