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RN1423中文资料Bias resistor built-in transistor (BRT)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

RN1423

参数属性

RN1423 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

功能描述

Bias resistor built-in transistor (BRT)

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-12-21 10:14:00

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晶体管资料

  • 型号:

    RN1423

  • 别名:

    RN1423三极管、RN1423晶体管、RN1423晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.8

  • wtest:

    0.3

RN1423规格书详情

描述 Description

Feature:High current
Polarity:NPN
Internal Connection:Single
Complementary Product:RN2423
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Collector Current IC 0.8 A
Collector-emitter voltage VCEO 50 V

技术参数

  • 制造商编号

    :RN1423

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Package name

    :SOT-346 (S-Mini)

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.9 x 2.5 x 1.1

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Polarity

    :NPN

  • Internal Connection

    :Single

  • Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)

    :4.7

  • Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)

    :4.7

  • Q1VCEO (Max)(V)

    :50

  • Q1IC (Max)(A)

    :0.8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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