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VBE1303

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1303

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC

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VBE1303A

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FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC

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FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC

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FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC

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N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC

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产品属性

  • 产品编号:

    RN1303(TE85L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 10mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 250µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Toshiba Semiconductor and Stor
24+
SC-70,SOT-323
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
TOSHIBA
08+
SOT323
1086
原装现货、真实库存
询价
TOSHIBA/东芝
23+
SOT323
9800
全新原装现货,假一赔十
询价
TOSHIBA/东芝
23+
SOT323
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
Toshiba Semiconductor and Stor
2022+
USM
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
6150
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
24+
N/A
51000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
TOSHIBA(东芝)
23+
SOT-323
129000
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
询价
TOSHIBA(东芝)
2025+
SOT-323
12420
询价
TOSHIBA/东芝
24+
SOT323
60000
询价
更多RN1303(TE85L,F)供应商 更新时间2025-6-22 14:14:00