RN1119MFV分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RN1119MFV |
| 参数属性 | RN1119MFV 封装/外壳为SOT-723；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
| 功能描述 | nullTOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 文件大小 |
149.76 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | RN1119MFV价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN1119MFV规格书详情
Switching Applications
Inverter Circuit Applications
Interface Circuit Applications
Driver Circuit Applications
Ultra-small package, suited to very high density mounting
ncorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so
enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering assembly
cost.
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
Complementary to the RN2119MFV
产品属性
- 产品编号：
RN1119MFV,L3F
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-723
- 供应商器件封装：
VESM
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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TOSHIBA |
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SOT723 |
20000 |
7800 |
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TOSHIBA |
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SOT-723 |
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