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RN1119MFV,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RN1406	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	TOSHIBA/东芝上传：深圳市卓越微芯电子有限公司	TOSHIBA/东芝
RN171-I/RM	文件：0 bytes Page：0 Pages	MODULE	MICROHCIP 上传：深圳市华来深电子有限公司	MICROHCIP
RN171-I/RM441	文件：0 bytes Page：0 Pages	Module-49	MICROCHIP/微芯上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	MICROCHIP/微芯
RN2405(T5L,F,T)	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	TOSHIBA 东芝上传：深圳市旺财半导体有限公司	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
RN1119MFV,L3F
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
VESM
描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RN1119MFV,L3F供应商更新时间2025-10-31 8:24:00

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