RN1117MFV分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
RN1117MFV |
参数属性 | RN1117MFV 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
功能描述 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) |
封装外壳 | SOT-723 |
文件大小 |
786.43 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
中文名称 | 株式会社东芝官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-29 11:12:00 |
人工找货 | RN1117MFV价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
RN1117MFV规格书详情
Switching Applications
Inverter Circuit Applications
Interface Circuit Applications
Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2114MFV to RN2118MFV
产品属性
- 产品编号:
RN1117MFV,L3F
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 10mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 500µA,5mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-723
- 供应商器件封装:
VESM
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
24+ |
SOT-723 |
80000 |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
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询价 | |||
TOSHIBA |
1923+ |
SOT-923 |
35689 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2447 |
SOT-3 |
100500 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT-723 |
50000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
20+ |
SOT723 |
49000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
2022+ |
SOT723 |
20000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT723 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
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TOSHIBA |
23+ |
SOT723 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT723 |
999999 |
原装正品现货量大可订货 |
询价 |