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RN1113FT	文件：113.54 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. • High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever 文件：113.54 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RSZ-1113	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output 文件：89.09 Kbytes 页数：2 Pages	RECOM	RECOM
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SD1113BD	文件：106.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE HIGH-VOLTAGE D-MOS POWER FETS 文件：106.12 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

型号：
RN1113FT
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT process)(Bias Resistor built-in Transistor)

更多RN1113FT供应商更新时间2026-4-22 15:10:00