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RN1112FT	文件：113.54 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. • High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever 文件：113.54 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RSZ-1112	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output 文件：89.09 Kbytes 页数：2 Pages	RECOM	RECOM
RSZ-1112HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1 Watt SMD Miniature Isolated Single Output 文件：89.09 Kbytes 页数：2 Pages	RECOM	RECOM
S1112	文件：664.5 Kbytes Page：30 Pages	HIGH RIPPLE-REJECTION AND LOW DROPOUT 文件：664.5 Kbytes 页数：30 Pages	SII 精工爱普生	SII

型号：
RN1112FT
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT process)(Bias Resistor built-in Transistor)

更多RN1112FT供应商更新时间2026-1-18 13:57:00