RMPA2259RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RMPA2259 |
| 参数属性 | RMPA2259 封装/外壳为10-LDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC |
| 功能描述 | 28 dBm WCDMA PowerEdge Power Amplifier Module |
| 封装外壳 | 10-LDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
235.52 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | Fairchild Semiconductor |
| 企业简称 |
FAIRCHILD【仙童半导体】 |
| 中文名称 | 飞兆/仙童半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-18 17:57:00 |
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RMPA2259规格书详情
General Description
The RMPA2259 power amplifier module (PAM) is designed for WCDMA/UTMS and HSDPA applications. The 2-stage PAM is internally matched to 50Ω to minimize the use of external components and features a low-power mode to reduce standby current and DC power consumption during peak phone usage. High power-added efficiency and excellent linearity are achieved using our InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process.
Features
• 40 CDMA efficiency at +28dBm average output power
• Single positive-supply operation and low power and shutdown modes
• Meets WCDMA/UTMS and HSDPA performance requirements
• Compact Lead-free compliant LCC package - 4.0 x 4.0 x 1.5 mm
• Industry standard pinout
• Internally matched to 50Ω and DC blocked RF input/output
产品属性
- 产品编号：
RMPA2259
- 制造商：
onsemi
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）
- 频率：
1.92GHz ~ 1.98GHz
- 增益：
24dB
- 噪声系数：
3dB
- 射频类型：
W-CDMA
- 电压 - 供电：
3V ~ 4.2V
- 电流 - 供电：
50mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
10-LDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
11-LCC（4x4）
- 描述：
IC AMP W-CDMA 1.92-1.98GHZ 11LCC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
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FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
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NA |
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