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B32-200-LF	文件：419.55 Kbytes Page：6 Pages	GasDischargeTube(GDT) Features ■Highinsulationresistance ■Lowcapacitance(≤0.5pF) ■1KA8/20μsmaximumsurgecurrentcapacityinaccordancewithIEC61000-4-5 ■6KV10/700μsmaximumsurgeratinginaccordancewithITU-TK.21 ■Surfacemountedgasarrester ■Micro-GapDesign ■Size3225(1210) ■Storageandoperatingtemperature:-	YAGEOYageo Corporation 国巨台湾国巨股份有限公司	YAGEO
B32-200-LF	文件：371.38 Kbytes Page：6 Pages	GasDischargeTube(GDT) Features ■Highinsulationresistance ■Lowcapacitance(≤0.5pF) ■500A8/20μsmaximumsurgecurrentcapacityinaccordancewithIEC61000-4-5 ■4KV10/700μsmaximumsurgeratinginaccordancewithITU-TK.21 ■Surfacemountedgasarrester ■Micro-GapDesign ■Size3216(1206) ■Storageando	YAGEOYageo Corporation 国巨台湾国巨股份有限公司	YAGEO
BYV32-200	文件：111.98 Kbytes Page：5 Pages	Switch‐modePowerRectifier FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •16ATotal(8APerDiodeLeg) •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant* Applications •PowerSupply−OutputRectification •PowerManagem	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BYV32-200	文件：350.26 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifierDiode FEATURES ·Highthermalcyclingperformance ·Lowon-statelosses ·Lowthermalresistance ·Softrecoverycharacteristic APPLICATIONS ·Switchedmodepowersupplies ·PowerFactorCorrection(PFC)forInterleavedTopology	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BYV32-200	文件：34.18 Kbytes Page：6 Pages	Rectifierdiodesultrafast GENERALDESCRIPTION Glasspassivatedhighefficiencydualrectifierdiodesinaplasticenvelope,featuringlowforwardvoltagedrop,ultra-fastrecoverytimesandsoftrecoverycharacteristic.Theyareintendedforuseinswitchedmodepowersuppliesandhighfrequencycircuitsingeneralwhere	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BYV32-200	文件：236.86 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BYV32-200	文件：79.14 Kbytes Page：2 Pages	FASTEFFICIENTPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦Dualrectifierconstruction,positivecentertap ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Glasspassivatedchipjunctions ♦Lowpowerloss ♦Lowforwardvoltage,highcurrentcapability ♦Highsurgecapability ♦Superfastrecoverytimefor	GE GE Industrial Company	GE
BYV32-200	文件：155.38 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeUltrafastRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BYV32-200	文件：54.67 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODETMPowerRectifier ULTRAFASTRECTIFIER16AMPERES,200VOLTStrr=35ns FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •16ATotal(8APerDiodeLeg) •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BYV32-200G	文件：54.67 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODETMPowerRectifier ULTRAFASTRECTIFIER16AMPERES,200VOLTStrr=35ns FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •16ATotal(8APerDiodeLeg) •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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更多RMP-ECO32-200-JA供应商更新时间2025-7-25 17:55:00

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