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RMD25N100DF中文资料MOSFET数据手册Rectron规格书
技术参数
- 制造商编号
:RMD25N100DF
- 生产厂家
:Rectron
- Id @ 25C (A)
:25 A
- Rds-on (typ) (mOhms)
:15 mOhms
- Total Gate Charge (nQ) typ
:30 nQ
- Maximum Power Dissipation (W)
:65 W
- Vgs(th) (typ)
:1.8 V
- Input Capacitance (Ciss)
:1130 pF
- Polarity
:N-Channel
- Mounting Style
:SMD/SMT
- Package / Case
:PDFN5X6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CARLO GAVAZZI |
2450+ |
SOP |
6540 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
DIP-8L |
16900 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TSSOP-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ST |
25+ |
DIP-8L |
16900 |
原装,请咨询 |
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Carlo Gavazzi Inc. |
23+ |
模块 |
381 |
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ST |
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DIP-8L |
16900 |
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24+ |
N/A |
62000 |
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泰科SCHRACK |
24+ |
6180 |
全新原装 |
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TE |
25+ |
继电器 |
396 |
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询价 | ||
Carlo Gavazzi- Inc. |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 |