RM5N150S8中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

厂商型号	RM5N150S8
功能描述	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
丝印标识	5N150
封装外壳	SOP-8
文件大小	185.82 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	RECTRON
中文名称	丽正国际
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更新时间	2025-11-4 15:30:00
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General Features

VDS = 150V,ID =4.6A

RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=10V (Typ:63mΩ)

RDS(ON) < 88mΩ @ VGS=4.5V (Typ:70m Ω )

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

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