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RM5A3P60S6中文资料MOSFET数据手册Rectron规格书
技术参数
- 制造商编号
：RM5A3P60S6
- 生产厂家
：Rectron
- Id @ 25C (A)
：5.3 A
- Rds-on (typ) (mOhms)
：79 mOhms
- Total Gate Charge (nQ) typ
：16 nQ
- Maximum Power Dissipation (W)
：5.0 W
- Vgs(th) (typ)
：2.0 V
- Input Capacitance (Ciss)
：934 pF
- Polarity
：P-Channel
- Mounting Style
：SMD/SMT
- Package / Case
：SOT-23-6L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RICOH/理光 |
23+ |
BGA |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
WSTR |
24+ |
62 |
询价 | ||||
亚成微 |
23+ |
SOT23-6 |
7500 |
亚成微全系列在售 |
询价 | ||
Ude |
21+ |
DNA |
320 |
公司现货,有挂就有货。 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN3x3 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
BUSSMANN/巴斯曼 |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Eaton |
22+ |
NA |
168 |
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询价 |
