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RM4N650IP数据手册Rectron中文资料规格书

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厂商型号

RM4N650IP

功能描述

MOSFET

制造商

Rectron Rectron Semiconductor

中文名称

丽正

数据手册

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更新时间

2025-8-9 14:03:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RM4N650IP

  • 生产厂家

    :Rectron

  • Id @ 25C (A) :

    :4.0 A

  • Rds-on (typ) (mOhms) :

    :1200 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ :

    :6.5 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W) :

    :46W

  • Vgs(th) (typ) :

    :3 V

  • Input Capacitance (Ciss) :

    :280 pF

  • Polarity :

    :N-Channel

  • Mounting Style :

    :Through Hole

  • Package / Case :

    :TO-251

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