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SIHFP460	文件：135.66 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludet	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHFP460	文件：169.48 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFP460A	文件：144.68 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SwitchModePower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFP460LC	文件：1.10532 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETstechnologythedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHFP460LC	文件：1.13914 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFP460N	文件：162.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SiHG460B	文件：186.09 Kbytes Page：8 Pages	DSeriesPowerMOSFET FEATURES •OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) •OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG460B	文件：214.41 Kbytes Page：10 Pages	DSeriesPowerMOSFETs FEATURES •OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) •OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-of-Merit(	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG460B	文件：419.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIR460DP	文件：160.19 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多RM460供应商更新时间2025-5-25 11:06:00

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