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RM42P30DN规格书详情
General Features
VDS =-30V,ID =-42A
RDS(ON) < 14mΩ @ VGS=-10V
RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=-4.5V
High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized avalanche voltage and current
Good stability and uniformity with high EAS
Excellent package for good heat dissipation
Special process technology for high ESD capability
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NS |
QQ咨询 |
DIP |
122 |
全新原装 研究所指定供货商 |
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RAYTEON |
89+ |
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Texas Instruments |
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144-LQFP |
3500 |
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BOURNS |
新 |
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全新原装 货期两周 |
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BI |
24+ |
DIP |
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全新原装正品,现货销售 |
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原装正品,假一罚十 |
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24+ |
DIP |
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BI |
24+ |
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9600 |
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TI(德州仪器) |
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BI |
2023+ |
DIP |
50000 |
原装现货 |
询价 |
