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RM40N200TI中文资料RECTRON数据手册PDF规格书

RM40N200TI
厂商型号

RM40N200TI

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

40N200

封装外壳

TO-220F

文件大小

203.4 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Rectron Semiconductor
企业简称

RECTRON

中文名称

Rectron Semiconductor官网

原厂标识
RECTRON
数据手册

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更新时间

2025-8-1 22:50:00

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RM40N200TI规格书详情

General Features

VDS =200V,ID =40A

RDS(ON) <41m @ VGS=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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