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RM35N30DN中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

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厂商型号

RM35N30DN

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

35N30

封装外壳

DFN3x3EP

文件大小

527.12 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RECTRON

中文名称

丽正国际

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-9 15:59:00

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RM35N30DN规格书详情

General Features

VDS =30V,ID =35A

RDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS=4.5V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

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