RM35N30DN中文资料丽正国际数据手册PDF规格书
RM35N30DN规格书详情
General Features
VDS =30V,ID =35A
RDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 9.5mΩ @ VGS=4.5V
High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized avalanche voltage and current
Good stability and uniformity with high EAS
Excellent package for good heat dissipation
Special process technology for high ESD capability
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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25+ |
SOP8 |
7500 |
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SOP8 |
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SOP8 |
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QFN16 |
5800 |
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NA |
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NK/南科功率 |
2025+ |
DFN |
986966 |
国产 |
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AIRBORN INC. |
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亚成微 |
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SOP-8 |
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24+ |
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