RM2N650IP中文资料MOSFET数据手册Rectron规格书
技术参数
- 制造商编号
：RM2N650IP
- 生产厂家
：Rectron
- Id @ 25C (A) :
：2.0 A
- Rds-on (typ) (mOhms) :
：2200 mOhms
- Total Gate Charge (nQ) typ :
：3.2 nQ
- Maximum Power Dissipation (W) :
：23 W
- Vgs(th) (typ) :
：3 V
- Input Capacitance (Ciss) :
：190 pF
- Polarity :
：N-Channel
- Mounting Style :
：Through Hole
- Package / Case :
：TO-251
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISH |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
和泉IDEC |
24+ |
6800 |
全新原装 |
询价 | |||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
MODULE |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IDEC |
24+ |
DIP |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 | ||
Hammond |
2020+ |
N/A |
155 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
Hammond |
22+ |
NA |
155 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
和泉 |
2022+ |
25000 |
只做原装，可提供样品 |
询价 |
