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RM21N650HD数据手册Rectron中文资料规格书

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厂商型号

RM21N650HD

功能描述

MOSFET

制造商

Rectron Rectron Semiconductor

中文名称

丽正

数据手册

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更新时间

2025-8-11 22:58:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RM21N650HD

  • 生产厂家

    :Rectron

  • Id @ 25C (A)

    :21 A

  • Rds-on (typ) (mOhms)

    :150 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ

    :36 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W)

    :188 W

  • Vgs(th) (typ)

    :3.5 V

  • Input Capacitance (Ciss)

    :2250 pF

  • Polarity

    :N-Channel

  • Mounting Style

    :Through Hole

  • Package / Case

    :TO-263

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