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RM210N75T2中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

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厂商型号

RM210N75T2

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

210N75

封装外壳

TO-220-3L

文件大小

204.88 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RECTRON

中文名称

丽正国际

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数据手册

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更新时间

2025-12-15 13:31:00

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RM210N75T2规格书详情

General Features

VDSS =75V,ID =210A

RDS(ON) < 4mΩ @ VGS=10V

Good stability and uniformity with high EAS

Special process technology for high ESD capability

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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