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RM12N650T2数据手册Rectron中文资料规格书

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厂商型号

RM12N650T2

功能描述

MOSFET

制造商

Rectron Rectron Semiconductor

中文名称

丽正

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:13:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RM12N650T2

  • 生产厂家

    :Rectron

  • Id @ 25C (A) :

    :11.5 A

  • Rds-on (typ) (mOhms) :

    :360 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ :

    :24 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W) :

    :101 W

  • Vgs(th) (typ) :

    :3.5 V

  • Input Capacitance (Ciss) :

    :1285 pF

  • Polarity :

    :N-Channel

  • Mounting Style :

    :Through Hole

  • Package / Case :

    :TO-220

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