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RM100N60T2中文资料MOSFET数据手册Rectron规格书
技术参数
- 制造商编号
：RM100N60T2
- 生产厂家
：Rectron
- Id @ 25C (A) :
：100 A
- Rds-on (typ) (mOhms) :
：5.7 mOhms
- Total Gate Charge (nQ) typ :
：85 nQ
- Maximum Power Dissipation (W) :
：170 W
- Vgs(th) (typ) :
：3 V
- Input Capacitance (Ciss) :
：4800 pF
- Polarity :
：N-Channel
- Mounting Style :
：Through Hole
- Package / Case :
：TO-220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ARD |
21+ |
SMD |
2236 |
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OPLUS |
24+ |
BGA |
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BGA |
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MITSUBISHI |
模块 |
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NA |
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