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SSR3055LA	文件：374.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSRU3055A	文件：326.91 Kbytes Page：6 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
SSU3055A	文件：323.14 Kbytes Page：6 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
SSU3055A	文件：345.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSU3055LA	文件：345.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD3055L	文件：765.38 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STD3055L	文件：1.68787 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD3055NL	文件：814.74 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STLC3055	文件：153.98 Kbytes Page：22 Pages	WLL&ISDN-TASUBSCRIBERLINEINTERFACECIRCUIT DESCRIPTION TheSTLC3055isaSLICdevicespecificallydesignedforWLL(WirelessLocalLoop)andISDNTerminalAdaptors.Oneofthedistinctivecharacteristicofthisdeviceistheabilitytooperatewithasinglesupplyvoltage(from+5.5Vto+15.8V)andselfgeneratethenegativebatterybymea	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STLC3055N	文件：315.8 Kbytes Page：25 Pages	WLL&ISDN-TASUBSCRIBERLINEINTERFACECIRCUIT Description TheSTLC3055NisaSLICdevicespecificallydesignedforwirelesslocalloop(WLL)andISDNterminaladaptors(ISDN-TA)andVoIPapplications.Oneofthedistinctivecharacteristicofthisdeviceistheabilitytooperatewithasinglesupplyvoltage(from5.5Vto12V)andselfge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
RK3055ETL
功能描述：
MOSFET N-CHAN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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