首页 >RJU36B2WDPK-M0>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

RJU36B2WDPK-M0

Dual Diode Ultra Fast Recovery Diode

Features •Ultrafastreverserecoverytime:trr=40nstyp.(atIF=20A,di/dt=100A/μs) •Lowforwardvoltage:VF=1.1Vtyp.(atIF=20A) •Lowreversecurrent:IR=1μAmax.(atVR=360V)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    RJU36B2WDPK-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Dual Diode Ultra Fast Recovery Diode

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS.瑞萨
原封 MOS TO247 TO220
10500
MOS IGBT 原装现货支持 RENESAS
询价
RENESAS
22+
TO-3P
518000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
RENESAS/瑞萨
12+
218040
一周左右货期全新进口原装
询价
N/A
2017+
TO263
32568
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票
询价
N/A
22+23+
TO263
34318
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
N/A
22+
TO263
28573
原装正品现货
询价
N/A
2023+
TO263
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
询价
N/A
21+
TO263
65200
一级代理/放心采购
询价
N/A
2021+
TO263
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
N/A
21+
TO263
1709
询价
更多RJU36B2WDPK-M0供应商 更新时间2024-4-28 18:25:00