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RJL60S5	文件：319.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：319.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJL60S5DPE	文件：151.04 Kbytes Page：4 Pages	600V - 20A - SJ MOS FET High Speed Power Switching Features  Superjunction MOSFET  Built-in fast recovery diode  Low on-resistance RDS(on) = 0.150  typ. (at ID = 10 A, VGS = 10 V, Ta = 25C)  High speed switching 文件：151.04 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJL60S5DPK-M0	文件：58.97 Kbytes Page：4 Pages	600V - 20A - SJ MOS FET High Speed Power Switching 文件：58.97 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJL60S5DPP-E0	文件：114.97 Kbytes Page：8 Pages	600V - 20A - SJ MOS FET High Speed Power Switching 文件：114.97 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJL60S5DPP-E0T2	文件：114.97 Kbytes Page：8 Pages	600V - 20A - SJ MOS FET High Speed Power Switching 文件：114.97 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJL60S5DPK-M0	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V - 20A - SJ MOS FET High Speed Power Switching	Renesas 瑞萨	Renesas
RJL60S5DPP-E0	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V - 20A - SJ MOS FET High Speed Power Switching	Renesas 瑞萨	Renesas

更多RJL60S5供应商更新时间2025-12-24 9:48:00