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RJK60S7DPP-E0	文件：88.18 Kbytes Page：7 Pages	600V -30A - SJ MOS FET High Speed Power Switching Features ● Superjunction MOSFET ● Low on-resistance RDS(on) = 0.100 Ω typ. (at ID = 15 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) ● High speed switching tf = 15 ns typ. (at ID = 15 A, VGS = 10 V, RL = 20 Ω, Rg = 10 Ω, Ta = 25°C) 文件：88.18 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK60S7DPP-E0	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V -30A - SJ MOS FET High Speed Power Switching	Renesas 瑞萨	Renesas
RJK60S7DPP-E0-T2	文件：88.18 Kbytes Page：7 Pages	600V -30A - SJ MOS FET High Speed Power Switching Features ● Superjunction MOSFET ● Low on-resistance RDS(on) = 0.100 Ω typ. (at ID = 15 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) ● High speed switching tf = 15 ns typ. (at ID = 15 A, VGS = 10 V, RL = 20 Ω, Rg = 10 Ω, Ta = 25°C) 文件：88.18 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK60S7DPP-E0T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V -30A - SJ MOS FET High Speed Power Switching ● Superjunction MOSFET\n● Low on-resistance\n RDS(on) = 0.100 Ω typ. (at ID = 15 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C)\n● High speed switching\n tf = 15 ns typ. (at ID = 15 A, VGS = 10 V, RL = 20 Ω, Rg = 10 Ω, Ta = 25°C);	Renesas 瑞萨	Renesas

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更多RJK60S7DPP-E0供应商更新时间2026-1-30 10:18:00