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RJK6024DPE

600V - 0.4A - MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 28 Ω typ. (at ID = 0.2 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching

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RENESAS

瑞萨

RJK6024DPE

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 0.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 42Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

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ISC

无锡固电

RJK6024DPE_15

600V - 0.4A - MOS FET High Speed Power Switching

文件:86.32 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK6024DPE

600V - 0.4A - MOS FET High Speed Power Switching

Renesas

瑞萨

详细参数

  • 型号:

    RJK6024DPE

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    600V - 0.4A - MOS FET High Speed Power Switching

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更多RJK6024DPE供应商 更新时间2026-2-9 11:54:00