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RJK6015DPM-00T1	文件：86.96 Kbytes Page：7 Pages	600V - 21A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.315 Ω typ. (at ID = 10.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：86.96 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJK6015DPM-00T1供应商更新时间2022-6-12 10:12:00