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RJK6013DPE-00-J3

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.58 Ω typ. (at ID = 5.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching

文件:77 Kbytes 页数:4 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK6013DPE-00-J3

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

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RJL6013DPE-00-J3

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RJMG212K21225CR

RJ

RJMG212K21225CR

RJMG212K21225CR

RJ

详细参数

  • 型号:

    RJK6013DPE-00-J3

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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更多RJK6013DPE-00-J3供应商 更新时间2022-6-12 10:12:00