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RJK6012DPP-00-T2	文件：77.37 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.77 Ω typ. (at ID = 5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：77.37 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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