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RJK5012DPE-00-J3

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features Lowon-resistance RDS(on)=0.515Ωtyp.(atID=6A,VGS=10V,Ta=25℃) Lowleakagecurrent Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJK5012DPE-00-J3

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

RJK5012DPE-00-J3

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    RJK5012DPE-00-J3

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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更多RJK5012DPE-00-J3供应商 更新时间2025-7-26 14:01:00