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RJK5012DPE-00-J3

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features Low on-resistance RDS(on) = 0.515Ω typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25℃) Low leakage current High speed switching

文件:75.8 Kbytes 页数:4 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK5012DPE-00-J3

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件:1.10597 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

RJK5012DPE-00-J3

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:89.01 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJMG212K21225CR

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RJ

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AMPHENOL
RJ

详细参数

  • 型号:

    RJK5012DPE-00-J3

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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更多RJK5012DPE-00-J3供应商 更新时间2025-10-7 11:01:00