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RJK1051DPB	文件：106.69 Kbytes Page：7 Pages	100V, 15A, 39m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：106.69 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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RJK1051DPB_15	文件：106.69 Kbytes Page：7 Pages	100V, 15A, 39m??max Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching 文件：106.69 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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RJK1051DPB	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch Single Power Mosfet 100V 15A 39Mohm Lfpak MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. • High speed switching\n• Capable of 4.5 V gate drive\n• Low drive current\n• High density mounting\n• Low on-resistance RDS(on) = 30 mΩ typ. (at VGS = 10 V)\n• Pb-free\n• Halogen-free\n文档文档标题类型日期Power MOS FET APPLICATION NOTEPDF3.27 MB日本語应用文档 2022年4月25日Attention of Handling Semiconductor DevicesPDF;	Renesas 瑞萨	Renesas

详细参数

型号：
RJK1051DPB
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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