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RJK03N9DNS-00-J5	文件：114.94 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=5.7mΩtyp.(atVGS=8.0V) •Pb-free •Halogen-free	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJK03N9DNS-00-J5

文件：114.94 Kbytes

Page：7 Pages

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=5.7mΩtyp.(atVGS=8.0V) •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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更多RJK03N9DNS-00-J5供应商更新时间2025-7-27 11:10:00

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