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厂商型号

RJK03L3DNS

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

文件大小

130.15 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-7 14:19:00

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RJK03L3DNS规格书详情

特性 Features

• High speed switching

• Capable of 4.5 V gate drive

• Low drive current

• High density mounting

• Low on-resistance

RDS(on) = 5.3 mΩ typ. (at VGS = 10 V)

• Pb-free

• Halogen-free

产品属性

  • 型号:

    RJK03L3DNS

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
21+
QFN
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RENESAS
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RENESAS/瑞萨
24+
WPAK
60000
全新原装现货
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RENESAS/瑞萨
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进口原装现货,假一赔十
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RENESAS/瑞萨
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
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