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厂商型号

RJK0389DPA

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 16:12:00

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RJK0389DPA规格书详情

特性 Features

• Low on-resistance
• Capable of 4.5 V gate drive
• High density mounting
• Pb-free
• Halogen-free 

技术参数

  • 型号:

    RJK0389DPA

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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