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RJK0379DPA	文件：256.38 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 1.8 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free 文件：256.38 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK0379DPA	文件：88.47 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching 文件：88.47 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK0379DPA	文件：126.75 Kbytes Page：7 Pages	Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching 文件：126.75 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK0379DPA-00-J53	文件：256.38 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 1.8 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free 文件：256.38 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK0379DPA_10	文件：88.47 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching 文件：88.47 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK0379DPA_13	文件：126.75 Kbytes Page：7 Pages	Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching 文件：126.75 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK0379DPA-00-J53	文件：88.47 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching 文件：88.47 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK0379DPA-00-J5A	文件：126.75 Kbytes Page：7 Pages	Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching 文件：126.75 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK0379DPA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching	Renesas 瑞萨	Renesas

详细参数

型号：
RJK0379DPA
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RJK0379DPA供应商更新时间2025-12-12 11:15:00

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