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RJK0355DSP

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:112.19 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK0355DSP

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.30051 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

RJK0355DSP_15

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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RENESAS

瑞萨

RJK0355DSP-00-J0

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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RENESAS

瑞萨

RJK0355DSP

Nch Single Power Mosfet 30V 12A 11.1Mohm Sop8

MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. • Capable of 4.5 V gate drive\n• Low drive current\n• High density mounting\n• Low on-resistance RDS(on) = 8.5 mΩ typ. (at VGS = 10 V)\n• Pb-free\n文档文档标题类型日期Power MOS FET APPLICATION NOTEPDF3.27 MB日本語应用文档2022年4月25日Attention of Handling Semiconductor DevicesPDF648 KB日本語应用文档2021年4月16日RJK0355DSP Datash;

Renesas

瑞萨

详细参数

  • 型号:

    RJK0355DSP

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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更多RJK0355DSP供应商 更新时间2025-10-5 14:00:00