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RJK0305DPB-02	文件：169.84 Kbytes Page：7 Pages	30V, 30A, 8.0mΩmax Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=6.7mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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RJK0305DPB-02

文件：169.84 Kbytes

Page：7 Pages

30V, 30A, 8.0mΩmax Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=6.7mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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30V, 30A, 8.0m廓max Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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详细参数

型号：
RJK0305DPB-02
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RJK0305DPB-02供应商更新时间2025-7-13 23:27:00

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